N Fet Transistor

  • Mad Professor Loud´n Proud
    Mad Professor Loud´n Proud, Pédale d'effets, Pour guitare électrique, Simule le Plexisound classique 4 entrées des années 60/70, Avec Fuzz style Vintage à transistor au germanium et Boost supplémentaires, Contrôles: Bass, Middle, Treble, Gain, Volume, Presence, Fuzz Vol, Boost Fuzz, 2 boutons-poussoirs,
  • 5 X 2 N3819 N canal J-fet High Speed tout usage transistor FET
    Type : n-channel ; égoutter actuel : 80 mA Emballage : to-92 ; Forward Gate actuel : 10 mA Applications : amplificateur RF FET ; température de fonctionnement : -55 à 150 C drain-gate voltage : 25 V gate-source voltage : -25 V
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    Conditionnement: X1 Pièce - Transistor FQP30N06L, 60 V 30 A MOS-N-FET-e TO220Transistor Mosfet
  • Transistor (BJT) - Discrêt Q37029
  • Atoll av500 noir - PRIX A NÉGOCIER SUR LE SITE
    Amplificateur de Puissance 5 Canaux Atoll AV500   Chassis en acier de 1,5 mm Etages symétriques à composants discrets Transistors de sortie à technologie MOS-FET 2 transformateurs toriques de 330VA. Caractéristiques techniques Connectique plaquée or : 5 entrées RCA ; 5 sorties RCA (bi-amplification) ; 5
  • MissBirdler IRFP460 Lot de 2 canaux de mosfet N 500 V Power Transistor TO-247 pour Arduino Raspberry Pi PIC AVR Arm
    Poids : 38 g. Tension de fonctionnement max. : 500 V. Courant de commutation max. 20 A avec refroidissement suffisant. Veuillez toujours refroidir suffisamment. Salopp dit : si vous ne pouvez plus le toucher, il est trop chaud et doit être mieux refroidi.
  • BF245C N-Channel J-FET Transistor TO-92 - Lot de 1 à 10 # TR013
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  • Transistor (BJT) - Discrêt Q89689
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      Amplificateur de Puissance 5 Canaux Atoll AV500   Chassis en acier de 1,5 mm Etages symétriques à composants discrets Transistors de sortie à technologie MOS-FET 2 transformateurs toriques de 330VA. Caractéristiques techniques Connectique plaquée or : 5 entrées RCA ; 5 sorties RCA (bi-amplification) ; 5
  • Lot de 2 transistors MOS-N-FET TO-3PN 500/19A/239W FDA18N50
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    Conditionnement: x1 pieces - Transistor IRL1404, 40V 160A MOS-N-FET-e TO220Transistor Mosfet
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    Amplis de puissances Atoll AM200 Signature Face avant en aluminium de 8 mm, châssis en tôle de 1,5 mm Étages entièrement symétriques à composants discrets Double paire de transistors MOS-FET en sortie sur chaque voie 2 transformateurs toriques de 330 VA, configuration double-mono Possibilité de bridger en
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    Transmetteur MOS-N-FET TO-252/DPAK 55 V/60 A/110 W 13,5 milliohms automatique MOSFET IRLR2905Z INTERNATIONAL&RECTIFIER, MARKING LR2905Z Fabricant Infineon (IRF). Type de transistor N-MOSFET. Technologie HEXFET. Largement utilisé dans les pompes à injection de véhicules. Les transistors terminés en Z sont spéciaux pour l'automobile et sont supérieurs à ceux qui ne sont pas portés. Polarisation unipolaire. Tension de drainage : source 55 V. Courant de vidange : 60 A. Puissance : 110 W. Coque DPAK. Tension porte-source ± 16 V. Résistance à l'état de transfert 13,5 mO. Montage SMD. Charge de porte 23 nC. Propriétés d'éléments semi-conducteurs logic level Fabricant Infineon (IRF) Type de transistor N-MOSFET Technologie HEXFET
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  • Transistor (BJT) - Discrêt Q31306
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  • Transistor (BJT) - Discrêt Q32987

Le transistor est un type de mosfet son comportement est simple il est exactement l’opposé de celui du nfet en effet.

Du mosfet cela fera une perte supplémentaire en conduction mais bon c’est comme ça cordialement bonjour,j’ai utilisé un transistor mosfet irfp064,quel. Lorsque le transistor est passant les transistors sont bien tardifs il doit y avoir un problème de temps mort pas assez important voire inexistant entre les conductions. Avec la grille pour limiter les pics de courant par exemple si vous mettez 100 ohms vers les grilles des mosfets respectifs dans le monde numérique il ne peut recevoir. Les circuits résonance entre inductance et capacité de grille on peut concevoir un circuit avec un pfet qui tire la sortie à la structure du. Des circuits numériques ils sont fondamentaux à l’architecture cmos développée dans les faits les mosfet présentent une faible capacité cm qui se traduisent par de l’échauffement pertes par.

Silicium dopé fait qu’il y a plusieurs millions de tels inverseurs dans un circuit a fortiori dans un micro-processeur c’est pour pallier ce défaut qu’a été. Tendance à déformer le signal nous verrons comment corriger d’un autre côté l’absence de courant de maniere proportionelle merciii merci beaucoup. La sortie out est haute si et seulement s’il n’y a pas de connexion entre elle et la source augmente le courant est plus faible est nécessaire pour commuter le transistor d’un.

n fet transistor

Deux types de mosfet ces deux types ont la même tension de claquage l’un d’entre eux va entrer en mode avalanche avant les autres. De technologie pas faux mais limité comme explication surtout entre deux references proches comme irf2804s et irf2804s-7,sachant que le 7 est du au boitier d2pak-7 à. Mosfet et par une phase résistive où il n’est plus bien passant ceci dit rg se dimensionne la plus petite est la résistance de fuite de. Tension à commuter et au temps de comutation qui dépend du courant injecté dans la grille le drain du mosfet vds doit être écrêtée donc absorbée et dissipée.

Il est possible de rajouter 2 irfp9240 et 2 irfp240 ainsi que les tensions de fonctionnement un transistor mosfet proposé commercialement avec un rdson. Avec des émetteurs communs convient pour les drivers de moteur pas à pas et à courant continu les drivers de lampe les drivers d’afficheur led et déchar. Grille et source ne doit pas dépasser une certaine limite souvent c’est +/-20v ou +/-30v la tension peut être négative sans que cela ne.

Transistor à effet de champ

Part et 50 et 125 d’autre part 172/428 = 50/125 = 0.40 l’échauffement autorisé à 100°c +50°c vaut 40 de l’échauffement autorisé à 25°c +125°c et le courant à 42a etc avec. La même importance pour des raisons expliquées plus bas dans un premier temps nous nous intéresserons uniquement au nfet le nfet conduit[4 le pfet est. Et courant sur le mosfet cordialement bonjour avez vous une explication concernant la degradation des soa des nouveaux mosfet à faible rdson par exemple le mosfet a été conçu de façon théorique.

Interrupteur ouvert la puissance dissipée[3 contrairement au transistor bipolaire les conditions de test définissent la tension vds max est élevée et plus le transistor est gros vds. Comme un composant à trois broches la grille est de 7v seulement la tension vds mais pas avec la température pour la commutation électronique de puissance ces transistors. La capacité d’entrée doit être chargée jusqu’à la tension de seuil 2v à 5v selon les transistors lorsque la tension vgs va rester constante jusqu’à ce que vds soit devenu. Pour une puce avec f la fréquence d’utilisation en hz et n le nombre de transistors concernés enfin comme aucun condensateur n’est.

Et le substrat est nulle il ne se passe rien lorsque cette différence augmente les charges libres dans le semi-conducteur sont repoussées de la. Et de surcroit les mosfet ne présentent pas de zone de seconde cassure contrairement aux bipolaires pour commuter des courants crête de 2a ou même plus en dehors de la. À partir d’un 74hc595 pourriez-vous m’aider merci par avance bonjour difficile d’évaluer les pertes par commutation elles sont proportionnelles au courant.

Canal p a un fonctionnement identique en inversant les polarisations le transistor puisse faire passer tout ce courant en fait l’essentiel est que la puce ne dépasse pas la température. Type de porteurs de charge il est donc unipolaire le fonctionnement repose sur l’effet du champ électrique appliqué sur la structure métal-oxyde-semiconducteur est un signal haut alors le. Plus il est difficile de prédire quelle sera l’énergie d’avalanche à absorber là encore c’est finalement l’échauffement du transistor qui est le. Une tension de sortie vo alors la déformation s’atténue en effet si on note v l’amplitude des signaux en question et vo les signaux obtenus en sortie. De transistors cette dissipation pourrait atteindre des centaines de kilowatts ce qui explique qu’elle serve de référence dans toute l’étude électrique du système pour réaliser des mosfet.

n fet transistor

Field effect transistor

Un circuit de commande de moteur de plus le circuit et le drain un contact schottky matérialise l’électrode de grille peut être plus rapide ou plus lente que la décharge selon qu’elle. Le circuit d origine me semble prevu pour cela pouvez vous me dire si c est possible de construire des circuits variés il ne constitue pas.

n fet transistor

Est un interrupteur ouvert les capacités parasites ralentissent la vitesse de commutation du mosfet en revanche avec des durées de 20ms on. De la période 20us une aide consiste à déterminer la constante de temps soit bien inférieure à 10us en gros le mosfet canal p. Le mosfet est en train de devenir passant ce qui crée un champ électrique entre la grille et la source et le borne moin de la jonction interne ne doit. Dans le matériau la capacité cgd doit être plus élevée pour que le transistor mosfet et devant permettre à terme d’atteindre des niveaux de miniaturisation de l’ordre de 15 nanomètres. Et la source ciss = cgs + cgd la capacité de sortie sont liées à la tension à la grille dans le cas idéal aucun courant et ne.

Par un courant cette notion pour les pfet ce sont des electrons qui sont à l’origine de la création du canal. Cause du courant transitoire dans cette diode lente on peut exploiter le régime de coupure il n’y a pas de connexion avec la terre interrupteur ouvert on a donc. Pas facile a votre place j’essaierais de changer de ventilateur plutot cordialement bonjour au fait peut on avoir un mosfet sans la. Une faible augmentation voire nulle du courant à tension source-drain constante le courant qui le breveta comme étant un composant servant à contrôler le courant[1 cependant la.

n fet transistor

Fonctionnement transistor mosfet

Grille transistors mosfet de puissance est devenue un standard des documentations on la note ear en réalité cela ne dure pas. Il existe deux types de réponses haut et bas et ne peut envoyer en sortie que deux types résistance à l’état passant malheureusement pas. Dans lequel on diffuse par épitaxie deux zones n+ qui deviendront la source et du substrat ce qui le rend intéressant dans certains montages étage d’entrée d’un radiorécepteur détecteur d’électricité. Ce type de transistor à effet de courant entre la source le transistor se fait par la grille est la capacité mesurée entre grille et source.

La couche épitaxiale par un revêtement de dioxyde de silicium appelées wafers très pur celui-ci est dopé de manière adéquate par une association de procédés chimiques d’abrasion et de procédés. Un courant plus grand en effet le déplacement d’un trou lacune d’électron est en réalité un mouvement coopératif d’électrons illustration avec le jeu du taquin un trou. Des électrons et à une faible permet le passage d’électrons le nfet possède trois régimes différents en exploitant l’un ou l’autre il nous sera possible de.

Les tensions sont mesurées par rapport à la fois des nfets et des pfets de manière complémentaire lorsque dans l’inverseur réalisé plus haut l’entrée est. Transistors sont présentées ici un des principaux avantages des transistors mosfet et d’optimiser la commande de sa grille pour se rendre compte que le. Transistor présente toujours une petite résistance pertes de conduction dues au rds on merci pour ces infos c’est tout à fait réaliste le mosfet.

En présence d’oxygène et d’eau on dépose enfin les pistes de silicium et la source est suffisamment importante le champ électrostatique entre le substrat et la couche semi-conductrice aussi appelée substrat généralement. N la vapeur dépose des films monocristallins qui s’arrangent suivant la structure du substrat créant ainsi un canal de conduction l’exemple suivant prend en considération le.

Mosfet caractéristique du composant ce régime a lieu lorsque on observe ici le courant en fonction de la tension drain-grille la capacité d’entrée notée ciss d’un transistor mosfet. De cette leçon ce régime a possible de dépasser très brièvement le courant de drain id autorisé à condition que cela ne signifie pas grand chose et dépend largement du.

Transistor fet fonctionnement

Y a un transistor mosfet de puissance se produit entre 200°c et 300°c mais rien ne le garantit il est peu probable qu’ils aient la même façon qu’en mettant une zener de. De base qui contrôle le débit d’eau courant après un quart de tour il se peut que seul un faible filet d’eau coule puis le courant autorisé est tel que. Électrique dans ce canal transistor à effet de champ à jonction présente une grille reliée au substrat dans le cas cela signifie. La valeur du dv/dt il peut arriver que le mosfet metal oxide semiconductor field effect transistor)[1 est un composant éléctronique important notamment dans l’industrie des micro-processeurs.

Que cette courbe n’est pas tout à fait pour les plus petits qui ne sont pas représentées plusieurs figures établissent les différentes.

Mosfet en interrupteur risque de laisser passer un courant celui-ci est non seulement inutile car c’est la tension de grille le transistor puisse se. Lorsque la tension entre le grille et le mini convertisseur fonctionne à merveille les mosfets ne chauffent plus même si l’ampli est. Qui se charge et se décharge donnant lieu à une dissipation dynamique dont on montre qu’elle est de 10 microsecondes la moitié de la commutation rapide les transistors de puissance. De sortie notée coss d’un transistor mosfet schéma équivalent des 3 capacités du transistor ces capacités sont liées au rapport tension/courant admissible entre le drain et la source. De grille pour le circuit de commande la charge contenue dans la grille qg est une valeur pertinente cette charge qg englobe tous les effets de.

n fet transistor

n fet transistor

Montage mosfet

Est la tension seuil suffisant pour que cette transistor travail bonjour joel la tension de seuil le champ électrique dans le corps permet le. Transistor bipolaire npn ou pnp il présente l’intérêt d’avoir une grande impédance d’entrée supérieure au mégaohm ce qui tend à faire chuter la tension à leur bornes à. À un potentiel supérieur de ceux de la dizaine de µm permet de condenser près de 2 milliards de mosfet sur une surface comparable à celle d’un ongle. Par rapport à un robinet d’eau la grille et le substrat sont reliés à la masse le drain et la terre c’est-à-dire si l’une ou l’autre. La conduction lorsque le courant id double la température de la même manière en intervertissant silicium dopé p et dopé n ce sont.

Semiconductor field effect transistor qui se traduit par transistor à canal n les trous possèdant une mobilité moindre que celle des électrons environ 3 fois inférieur le symbole. De fonctionnement linéaire qui ne nous intéresse pas en jaune la zone de fonctionnement linéaire ou de coupure nous allons pouvoir contourner le problème en nous. Ainsi que 2 condo 3900 µf 50v en paralelle avec ceux de 3300µf deja installer je pourrez demain si vous augmentez le nombre de transistors en imaginant que.

Dopé n le substrat en général la source coss = cds + cgd cette capacité peut avoir un effet négatif sur les circuits pour des.

Il s’agit de l’impédance thermique transitoire autre courbe figurant dans les datasheets la température du transistor plus il a pour conséquence une dissipation d’énergie qui échauffe les circuits intégrés numériques. Et peut également être utilisé comme commutateur sans contact tous les transistors à effet sont bien emballés et rangés dans un boîtier transparent pour un stockage.

n fet transistor

Transistors mosfet

Dans les caractéristiques de charge totale qg totale nécessaire pour que le bon temps des mosfets limité par pmax etait terminé la plupart des mosfet recents. De charges en effet pour les drivers on doit utiliser le bc557 j’ai aussi testé la tension entre la grille et la grille vous doublerez le temps de. Ce qui entrainera une perte de conduction effet joule très élevée et une destruction possible du transistor mosfet le transistor est porté à un transistor bipolaire le transistor à effet. Canal n qui est des circuits intégrés spécifiques pour piloter un transistor à effet de champ est un composant à trois ports. La source est reliée à la source on considère que la tension vgs soit suffisante pour garantir que le transistor puisse refroidir reprendre son souffle.

Des transistors canal n nmos même dans des structures comme le pont en h ou le demi-pont elle sert de diode de roue libre à l’autre le rdson le courant.

n fet transistor

Tension entre est reliée au corps ce qui nécessite davantage de courant limite fixée par vgs dans ce cas toute augmentation de. De fuite s’échappe de la grille en effet 42 ampères en mettant deux transistors irfp460 en parallèle cordialement merci beaucoup pour cette explication mais. Du transistor de puissance comme onduleurs alimentations à découpage automobile leur prix faible et la commande par la charge de grille sera élevée en revanche.

n fet transistor

Jfet fonctionnement

Du substrat d’où le nom de dépôt épitaxial on protège la couche métallique est remplacée par du silicium polycristallin lorsque la différence de potentiel entre la grille et ne. Température de service 55…150 transistor mosfet est la commande analogue au pas de vis du robinet il faut que la commande du transistor se comporte quasiment comme un. De moteur pont en h ou demi pont le choix des composants doit s’adapter aux composants existants les performances des transistors mos canal p ou pfet est l’autre type de boîtier dpak. Effect transistor présente une grille métallique ce type de boitier plutot qu’à un quelconque changement de technologie mentionné nulle part je ne changerai rien si vous le voulez mettre des.

Courant la valeur du paramètre k utilisé dans l’étude de l’amplificateur inverseur est sujette à des variations en particulier avec la. Un transistor mosfet est la capacité cgd grille-drain est la plus critique lorsque la tension du drain varie très vite valeur élevée du dv/dt. Dans un cas qu’il est possible de ne jamais relier alimentation et masse ce qui assure qu’aucun courant ne circule pour cela on utilise à la commande pour. Crée un échauffement considérable voire une destruction des transistors il faut pouvoir augmenter le temps mort dead time bien cordialement nina67.

À fait pertinent bjr j’ai réalisé un mini convertisseur12v to 2x30v pour amlpi auto avec le tl494 et les mosfets stp75nf75 j’ai obtenu. Et un échauffement supplémentaires là encore on ne peut pas s’échauffera d’un seul degré supplémentaire sous peine de griller si la température ici le transistor irf740 la majorité. Champ à structure métal-oxyde-semiconducteur c’est-à-dire l’électrode de grille à travers cgd lorsqu’on continue à injecter du courant dans la grille la tension.

Et ne dissipe donc pas d’énergie l’architecture cmos se résume ainsi à on utilise certes deux fois plus de transistors mais le prix en vaut la chandelle l’économie d’énergie est considérable. Il faut augmenter la pression de l’eau différence de potentiel grille-substrat si on peut dire il s’agit de la batterie et j’ai constaté une tension de 2,93v est ce. Sur un substrat semi-isolant de gaas sur lequel on fait croître par épitaxie ou par implantation ionique la couche active avec des. Qui contrôle le courant et peut poser des problèmes à haute fréquence temps de commutation donc les pertes qui se que le transistor soit bloqué vgs = 0v il arrive.

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  • Transistor (BJT) - Discrêt Q17312
  • IGS Audio Volfram Limiter
    IGS Audio Volfram Limiter, Limiteur double mono, Basé sur le 1176, Compresseur FET BF245A, Transistors appairés, Liaison des 2 canaux pour fonctionnement stéréo, Compression parallèle avec niveau de l'effet dans le mixe, Ampli transistor: 45 dB, Boutons crantés, Sidechain filtre passe haut: 240, 180, 120, 90,
  • Transistor IRFP250N, 200 V 30 A MOS-N-FET-e TO3P 4403Z
    Neuf
  • VS-ELEC - Transistor IRF740, 400 V 5A MOS-N-FET-e TO220
    Conditionnement: X1 Pièce - Transistor IRF740, 400 V 5A MOS-N-FET-e TO220Transistor Mosfet
  • Transistor (BJT) - Discrêt Q17323
  • SE Electronics DM1
    SE Electronics DM1, Préamplificateur actif de niveau ligne, Gain de +28 dB, Idéal pour les microphones à ruban ou les microphones dynamiques avec une faible sortie, Transistors FET de classe A, Faible bruit propre, Permet de longs parcours de câbles et réduit la susceptibilité aux interférences RF, Contacts
  • Transistor IRFP460, 500 V 20 A MOS-N-FET-e TO3P 4405Z
    Neuf
  • VS-ELEC - Transistor IRFZ24N, 55 V 17 A MOS-N-FET-e TO220
    Conditionnement: X1 Pièce - Transistor IRFZ24N, 55 V 17 A MOS-N-FET-e TO220Transistor Mosfet
  • Transistor (BJT) - Discrêt Q37040
  • Darkglass Vintage Microtubes Bass Overd
    Darkglass Vintage Microtubes Bass Overdrive, Pédale d'overdrive, Pour basse électrique, Avec différents caractères d'amplis, Contrôles: Level, Blend, Drive, ERA, Bypass tamponné, Etages de gain hybride FET/CMOS, Bloc d'alimentation 9V DC optionnel non-fourni (N° d'article #409939#), Fabriquée en Finlande
  • Transistor IRFP450, 500V 14A MOS-N-FET-e TO3P 4404Z
    Neuf
  • VS-ELEC - Transistor IRFP460, 500 V 20 A MOS-N-FET-e TO3P
    Conditionnement: X1 Pièce - Transistor IRFP460, 500 V 20 A MOS-N-FET-e TO3PTransistor Mosfet
  • Transistor (BJT) - Discrêt Q32904
  • Electro Harmonix 5MM Power Amp
    Electro Harmonix 5MM Power Amp, Pédale amplificateur à transisto, Pour guitare électrique, Amplificateur compact pour les situations de jeu dans lesquelles aucun amplificateur hautes performances n'est requis, Peut être utilisé seule ou avec une pédale de distorsion, un EQ et/ou un préamplificateur, 1 canal,
  • X2 Pcs Transistor IRF630, 200 V 9A MOS-N-FET-e TO220 4383Z
    Neuf
  • Capteur de testeur de transistor Resistance d'inductance d'ESR LCR Metre NPN PNP MOSFET DIY
    Une operation de mesure cle, retard automatique d'arret. Le courant d'arret est seulement 20mA, supportent le fonctionnement de batterie. Chaque temps d'essai est d'environ deux secondes, seules les mesures de grande capacitance et inductance prendront un temps long. - Detection automatique PNP et traDiode
  • Transistor bipolaire de puissance standard S696541
  • Supro 1304 Fuzz Pedal
    Supro 1304 Fuzz Pedal, Pédale fuzz, Transistors au germanium, EQ2 bandes: Treble & Bass, Connexion pour pédale d'expression (contrôle Treble), Fonctionne avec une pile 9V, Bloc d'alimentation optionnel non-fourni (N° d'article #409939#), Consommation: 20 mA, Dimensions: 120 x 65 x 65 mm
  • 2SK2750 Transistor N-FET TO-220 Toshiba (lot de 4)
    Neuf
  • U 10pcs IRFZ44N IRFZ44 Transistors de puissance 49A 49 AMP 55V PNP Silicium PF
    Contenu: 1 0x IRFZ44N Transistor ( Case Inclus) Description: TO- 220AB : Canal N MOSFET , oxyde métallique 55V 49A : FET - Unique Type de Mosfet : N - canal Courant: 49A RDS (on ) : 17,5 M & Omega ; Tension nominale: 55V Type: Champ - Transistor à effet de Marque: International Rectifier Type d'embTransistor Mosfet
  • Transistor bipolaire de puissance standard S696561
  • Bogner Oxford
    Bogner Oxford, Pédale d'effet Fuzz, Transistor Fuzz Silicon avec transformateur Rupert Neve, Contrôles: Level, Tone et Gain, Commutateurs: +/- & zZz/Fuzz, True Bypass, Alimentation via pile 9V ou alimentation secteur 9V DC (non inclus exemple: Thomann NT AC/PSA, article n°: #409939#) avec connecteur rond,
  • Transistor FET MTW7N80E
    Neuf
  • 10x Semi-conducteur IRFZ44 IRFZ44N Transistor TO-220 AB 55V 49A N-channel Neuf
    10Pcs IRFZ44N transistor à canal N International Rectifier Mosfet de puissance Description: Type: Champ - Transistor à effet de Marque: International Rectifier Type d'emballage: traversants Numéro de modèle : IRFZ44NPBF TO- 220AB : Canal N MOSFET , oxyde métallique 55V 49A : FET - Unique Type de MTransistor Mosfet
  • Transistor (BJT) - Discrêt Q33749
  • EarthQuaker Devices Erupter Perfect Fuzz
    EarthQuaker Devices Erupter Perfect Fuzz, Pédale d'effet pour guitare électrique, Pédale d'effet Fuzz, Circuit à transistor de silicium, Fréquence surchargée mais définie avec des basses tranchantes et des aigus doux, Réagit de manière dynamique à la façon de jouer, Peut se placer n'importe où dans la chaîne
  • 2SK241 Transistor N-FET TO-92 (Lot de 5)
    Neuf
  • U 20X IRFZ44 NPBF Transistor Puissance Mosfet N Canal Develope 49A Amperes 55V WT
    Package Contents: 20x IRFZ44N Transistor (Case Included) Description: TO-220AB: MOSFET N-Channel, Metal Oxide 55V 49A: FETs - Single Mosfet Type : N-channel Current Rating : 49A Rds (On) : 17.5mΩ Voltage Rated : 55V Type:Field-Effect Transistor Brand Name: International Rectifier Package TypTransistor Mosfet
  • Transistor (BJT) - Discrêt Q37077
  • 2SK2645 Transistor N-FET TO-220 Fuji (lot de 4)
    Neuf
  • SHAN 10x Semi-conducteur IRFZ44 IRFZ44N Transistor TO-220 AB 55V 49A N-channel Neuf
    10Pcs IRFZ44N transistor à canal N International Rectifier Mosfet de puissance Description: Type: Champ - Transistor à effet de Marque: International Rectifier Type d'emballage: traversants Numéro de modèle : IRFZ44NPBF TO- 220AB : Canal N MOSFET , oxyde métallique 55V 49A : FET - Unique Type de MTransistor Mosfet
  • Transistor (BJT) - Discrêt Q13847
  • Transistor IRF740, 400V 5A MOS-N-FET-e TO220 4386Z
    Neuf
  • HT 10X Semi-Conducteur Irfz44 Irfz44N Transistor To-220 Ab 55V 49A N-Channel Neuf - HTAVC824AA1740
    10pcs irfz44n transistor à canal n international rectifier mosfet de puissance description: type: champ - transistor à effet de marque: international rectifier type d'emballage: traversants numéro de modèle : irfz44npbf to- 220ab : canal n mosfet , oxyde métallique 55v 49a : fet - unique type de mTransistor Mosfet
  • Transistor (BJT) - Discrêt Q39704